长江存储科技有限责任公司（长江存储）是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业。长江存储为全球客户提供先进的存储产品和解决方案，广泛应用在移动通信，计算机，数据中心和消费电子等领域。

长江存储由紫光集团，国家集成电路产业投资基金，湖北地方集成电路基金，湖北科投联合投资240亿美元，于2016年7月正式成立。长江存储是紫光集团从“芯”到“云”生态产业链不可或缺的重要组成部分 。

秉承对存储技术的专注和创新精神，长江存储现已在武汉，北京，上海，硅谷均设有研发基地。长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，填补了国内空白，并力争成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，2023年年产值达1000亿人民币。

发展历程

2014年10月3D NAND项目在武汉新芯启动；

2015年6月9层3D NAND测试芯片通过电器性能验证；

2016年7月32层3D NAND 测试芯片T/O（设计完成）；

2016年7月长江存储有限责任公司成立；

2016年12月国家存储器基地项目正式开工建设；

2017年7月32层3D NAND 芯片T/O（设计完成）；

2017年9月国家存储器基地项目一期工程提前封顶；

2017年11月32层3D NAND 芯片完成首次验证。