日前,据彭博社报道称,德克萨斯州联邦陪审团日前作出一项裁决,根据美国德克萨斯州联邦法院的裁决,三星电子侵犯了一家韩国大学关于双栅极FinFET半导体工艺的技术专利,必须赔偿4亿美元。
韩国科学技术院(KAIST)在美国的授权机构起诉三星电子,称其曾经宣称要与韩国大学共同研究FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,但很快就放弃,改变主意从Intel那里购买授权,不过三星还是使用了他们的技术,却并非付费。
法院认可了这一起诉,责令三星电子赔偿4亿美元。事实上,陪审团发现三星的侵权是故意行为,因此完全可以做出三倍处罚,也就是最多12亿美元。
作为全球最大的芯片制造商,三星向陪审团表示,它与韩国技术学院合作开发了这项技术,并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。
三星的这一侵权行为被裁定为“故意为之”,或“有意为之”,这意味着法官可以将三星所需支付的赔偿金额增加到陪审团规定的三倍。
这项技术被认为是生产智能手机处理器的关键。GlobalFoundries和三星利用了这一技术来制造芯片。而作为最大的手机芯片制造商,高通则是两家公司的客户。上述公司对此判决提出了联合辩护。
这一事件标志着韩国顶级研究型科学与工程机构——韩国技术学院与三星这家对该国经济至关重要的公司之间展开的冲突。双方律师均拒绝对判决发表评论。
有趣的是,GlobalFoundries和高通也被发现同样侵权,因为GF是从三星那里买了FinFET工艺的授权,高通则通过三星和GF代工芯片,但这两家无需赔偿。
三星对此判决自然表示很失望,将提出上诉。
目前,三星电子已经超越Intel,成为全球最大的半导体厂商。